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光刻工艺

 

光刻工艺简介:

    光刻工艺是将基底表面光刻胶的特定部分去除,将掩膜图形转移到基底表面的光刻胶上,是微纳加工制造中最关键的技术之一,光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘,可以根据实际情况调整流程中的操作。按光刻面数的不同分为单面对准光刻和双面对准光刻,按所采用掩模版类型分为正胶光刻和负胶光刻

 

处理材料:

    衬底材料直径100mm,厚度400-5000um。


1、匀胶机

设备简介:

Karl Suss公司的匀胶机具有自动化程度高,运转平稳,匀胶均匀性好等特点。其独特的Gyeset系统能够明显地改善厚胶的均匀性,并且更换方便,尺寸可调。控制系统可存储20条匀胶工艺程序,每条工艺程序最多可分成29个不同转速、加速度以及时间的工艺步骤。对实验室常用的各类正性光刻胶、负性光刻胶均可实现较好的匀胶效果。

                 

 

技术参数:

    转速范围:0~7000rpm

    加速度范围:20~5000rpm/s

    单步时间:0~999.9s

    匀胶均匀性:±2%(4inch硅片,100nm氧化层,1μm胶厚)

 

2、纳米压印光刻系统

设备简介:

瑞典Obducat公司的纳米压印机采用气体软压技术,压印均匀性良好。可分别独立采用热压、紫外聚合,也可以将热压紫外聚合联合使用;配有对准装置,可进行对准压印,对准精度在1μm以内。典型使用领域:光子晶体、亚波长光学器件、OLED、生物微沟道等。

                 

技术参数:

    基底/模板尺寸: ≤6inch

    压印精度:20nm

    对准精度:±1μm
    压印温度范围:室温至200

    最大压力:80bar

    冷却方式:气冷/水冷

 

3、光刻机

设备简介:

德国Karl Suss公司的光刻机是设计用于实验室研发,小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机实现了最好的基片适应性,可夹持不同厚度不同形状的基片,如:硅片、铬版玻璃片、镍板、不锈钢板等。提供了五种曝光模式,且能够存储100条不同参数值的曝光程序。提供两种不同的对准装置:分离视场顶部对准显微镜或底部视频显微镜。恒光强控制器(CIC)通过调整汞灯功率可使光强保持在设定值。 

                 

技术参数:

    分辨率:0.7μm

    对准精度:正面对准±0.5μm,背面对准±1μm

    对准间距:10~300μm

    最大硅片直径:150mm

    曝光模式:非接触式、软接触式、硬接触式、真空接触式、低真空接触式 

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