光刻工艺简介：

光刻工艺是将基底表面光刻胶的特定部分去除，将掩膜图形转移到基底表面的光刻胶上，是微纳加工制造中最关键的技术之一，光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，可以根据实际情况调整流程中的操作。按光刻面数的不同分为单面对准光刻和双面对准光刻，按所采用掩模版类型分为正胶光刻和负胶光刻。

处理材料：

衬底材料直径100mm，厚度400~5000um。

1、匀胶机

设备简介：

Karl Suss公司的匀胶机具有自动化程度高，运转平稳，匀胶均匀性好等特点。其独特的Gyeset系统能够明显地改善厚胶的均匀性，并且更换方便，尺寸可调。控制系统可存储20条匀胶工艺程序，每条工艺程序最多可分成29个不同转速、加速度以及时间的工艺步骤。对实验室常用的各类正性光刻胶、负性光刻胶均可实现较好的匀胶效果。

技术参数：

转速范围：0～7000rpm

加速度范围：20～5000rpm/s

单步时间：0～999.9s

匀胶均匀性：±2%（4inch硅片，100nm氧化层，1μm胶厚）

2、纳米压印光刻系统

设备简介：

瑞典Obducat公司的纳米压印机采用气体软压技术，压印均匀性良好。可分别独立采用热压、紫外聚合，也可以将热压紫外聚合联合使用；配有对准装置，可进行对准压印，对准精度在1μm以内。典型使用领域：光子晶体、亚波长光学器件、OLED、生物微沟道等。

技术参数：

基底/模板尺寸： ≤6inch

压印精度：20nm

对准精度：±1μm

压印温度范围：室温至200℃

最大压力：80bar

冷却方式：气冷/水冷

3、光刻机

设备简介:

德国Karl Suss公司的光刻机是设计用于实验室研发，小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机实现了最好的基片适应性，可夹持不同厚度不同形状的基片，如：硅片、铬版玻璃片、镍板、不锈钢板等。提供了五种曝光模式，且能够存储100条不同参数值的曝光程序。提供两种不同的对准装置：分离视场顶部对准显微镜或底部视频显微镜。恒光强控制器（CIC）通过调整汞灯功率可使光强保持在设定值。

技术参数：

分辨率：0.7μm

对准精度：正面对准±0.5μm，背面对准±1μm

对准间距：10～300μm

最大硅片直径：150mm

曝光模式：非接触式、软接触式、硬接触式、真空接触式、低真空接触式