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键合工艺

 

键合工艺简介

    键合是微纳器件和集成电路制造技术中封装的关键工序之一。真空静电键合机可将硅片和玻璃片在加压加热加电压后键合在一起,键合界面有良好的长期稳定性。引线键合机可将芯片表面的金属焊点与引线框架或印刷线路板上的金属焊点进行连接,实现芯片内部电路引出端与外引线的电连接,形成回路。

1、国产真空静电键合机

设备简介:

    由沈阳仪器仪表工艺研究所研制的真空静电键合机可使硅片与玻璃在外加电场作用下进行键合,实现芯片的无应力、无蠕变封装,保证器件的性能、质量及成品率。设备的真空室采用立式布局,钟罩可自动升降,键合装置位于真空室内,电极采用多点浮动加压方式,键合电压和温度可调,加热元件采用内热式加热,热效率高。加热电源、高压与真空室之间设有互锁装置,以保证使用安全。

               

主要参数:

    样品规格:最大键合面积为3英寸

              可键合的硅片厚度范围0.2~2.0mm

              可键合的玻璃厚度范围0.8~2.0mm

    加热温度:室温~450℃可调

    加热功率:≦1.0kW

    键合电压:≦2.0kV(连续可调)

 

2、进口引线键合机

设备简介:

    美国Kulicke & Soffa公司的引线键合机可将芯片表面的金属焊点与引线框架或印刷线路板上的金属焊点进行连接,实现芯片内部电路引出端与外引线的电连接,形成回路。设备能够适配广泛的线径,各焊接参数独立调整,具有半自动和手动操作模式,支持混合电路/MCM多芯片模块、光学器件、微波器件、COB板装芯片、激光产品及分立器等多种焊线焊接应用。

               

主要参数:

    焊接区域:134mm×134mm

    XY移动台行程粗调范围:140mm

    XY移动台行程微调范围:14mm

    超声波功率:1.3~2.5W

    温度控制器:最大温度250℃±5℃

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