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清洗氧化工艺

 

清洗工艺简介:

    清洗工艺是利用清洗液去除基底材料表面的有机物、无机物以及金属玷污等,包括标准清洗、去胶清洗和超声清洗等。


处理材料:

    直径为100mm的硅片、玻璃片以及SOI,厚度范围400-1500um。

氧化工艺简介:

    氧化工艺是在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作掩蔽层、牺牲层或绝缘层,包括高温干氧氧化和高温湿氧氧化。


处理材料:

    符合进炉净化标准以及承受处理的温度,衬底材料直径100mm,厚度范围400-1500um。

设备简介:

氧 化 炉(4英寸、6英寸)

设备说明:

中国电子科技集团有限公司第十三研究所生产的双管4英寸氧化扩散炉和青岛赛瑞达电子装备股份有限公司生产的6英寸氧化扩散炉用于在半导体器件、电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行氧化、扩散等工艺,可以在硅片表面生长厚度不等的热氧化层。在微纳加工中,热氧化层一般用作掩蔽层、牺牲层和绝缘层。

氧化炉体均采用三段控温技术,温度设定可以从500℃至1180℃,并配有超温保护功能,以确保恒温区内温度精度及炉体安全。

                

技术指标:

    4 inch:温度:300℃至1180℃连续可设;

            温度均匀性:600℃以上控温精度为±1℃;

            样品尺寸:≤ 4 inch;

    6 inch:温度:500℃至1280℃连续可设;

            温度均匀性:控温精度为±1℃;

            样品尺寸:≤ 6 inch。

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