首页  实验室介绍  实验平台  科研队伍  科研成果  合作交流  人才教育  党群建设 
实验平台

 微纳加工平台 
 微纳测试平台 
 精密齿轮制造平台 
 管理制度 
 服务流程 
 文件下载 
 联系方式 

微纳加工平台
您的位置: 首页>>实验平台>>微纳加工平台>>正文

清洗氧化工艺

 


清洗工艺简介:

清洗工艺是利用清洗液去除基底材料表面的有机物、无机物以及金属玷污等,包括标准清洗、去胶清洗和超声清洗等。

处理材料:

直径为100mm的硅片、玻璃片以及SOI,厚度范围400~1500um。


氧化工艺简介:

氧化工艺是在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作掩蔽层、牺牲层或绝缘层,包括高温干氧氧化和高温湿氧氧化。


处理材料:

符合进炉净化标准以及承受处理的温度,衬底材料直径100mm,厚度范围400~2700nm。


设备简介:

氧 化 炉(4英寸、6英寸)

设备说明:

中国电子科技集团有限公司第十三研究所生产的双管4英寸氧化扩散炉和青岛赛瑞达电子装备股份有限公司生产的6英寸氧化扩散炉用于在半导体器件、电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行氧化、扩散等工艺,可以在硅片表面生长厚度不等的热氧化层。在微纳加工中,热氧化层一般用作掩蔽层、牺牲层和绝缘层。

氧化炉体均采用三段控温技术,温度设定可以从500℃至1180℃,并配有超温保护功能,以确保恒温区内温度精度及炉体安全。

技术指标:

4 inch:

温度:300℃至1180℃连续可设;

温度均匀性:600℃以上控温精度为±1℃;

样品尺寸:≤ 4 inch;

6 inch:

温度:500℃至1180℃连续可设;

温度均匀性:控温精度为±1℃;

样品尺寸:≤ 6 inch。

关闭窗口

大连理工大学机械工程学院微纳米重点实验室  版权所有

地址:辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 邮编:116023
电话:0411-84707713  mail:memslab@dlut.edu.cn